在科学界，让碳纳米管代替现有硅基晶体管的呼声越来越高，碳纳米管晶体管的主要技术挑战过去几年已被陆续得到解决。近日，来自北京大学的一项研究表明相同尺寸的两种晶体管相比，碳纳米管材料更省电高效。
目前硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管已经很难再继续缩小下去，碳纳米管是替代硅的候选纳米材料之一。北京大学的科学家开发出栅长5纳米的碳纳米管场效应晶体管，声称其性能超过相同尺寸的硅晶体管。碳纳米管晶体管的栅电容更小，即使硅基设备缩小到碳纳米管设备相同尺寸，后者的开关速度仍然更快。10纳米碳纳米管CMOS栅电容导致的延迟大约为70飞秒，仅为Intel 14纳米硅基CMOS的三分之一。
北大的研究报告发表在近日出版的《科学》期刊上。研究人员称，碳纳米管晶体管比硅基晶体管操作速度更快，工作电压更低。论文通讯作者Lian-Mao Peng预测，碳纳米管电子产品有望在2022年取代硅基CMOS。
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